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NTTの研究所が取り組んでいるR&Dアクティビティをご覧いただけます。


未来を切り拓く基礎研究

未来を切り拓く基礎研究

オススメ展示マークはオススメ展示です

  • E-1
  • 高精度・高速な単電子操作を実証しました
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  • シリコンナノデバイスにおける単電子制御を用いた極限エレクトロニクス
  • ナノ(10億分の1)メートルスケールのシリコン微細トランジスタを用いて電子を1個ずつ正確に制御することで、新機能を持つデバイスの実現をめざした研究を進めています。電子を1個ずつ周期的に運ぶ単電子転送素子では、精密測定により高速・高精度動作を実証しました。また、高感度電荷センサにより電子の個数を読み取り、その結果に基づいたフィードバック制御を行う新しい動作の実証も行いました。
  • E-2
  • 量子力学はどのスケールまで適用できるのか?
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  • 巨視的な電流での実在性の破れを確認する超伝導デバイス
  • 観測された物の状態が、観測前から確定していることを「実在性」と呼びます。実在性は日常の世界では成り立っているように見えますが、量子力学で記述される微視的な世界では破れていることが知られています。本研究では量子性が極めて高い独自の超伝導回路を用い、膨大な数の電子からなる「電流」という巨視的な量においても実在性が破れ、量子重ね合わせが実現されていることを検証しました。
  • オススメ展示マークE-3
  • 光を使って難問を解く量子ニューラルネットワーク
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  • 全く新しい原理のコンピュータを実現
  • 光パラメトリック発振器(OPO)を用いて組合せ最適化問題を高速に解く「量子ニューラルネットワーク」を実現しました。2000ノードからなる大規模グラフの最適化問題を1万分の一秒以下の時間で解くことに成功しました。本技術は、膨大なデータの最適化を必要とするあらゆる分野への適用が期待されます。
  • E-4
  • 2次元原子層材料により、次世代デバイスを実現します
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  • グラフェン・遷移金属ダイカルコゲナイド
  • 近年、厚さ1nm以下のグラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)などの層状物質を用いて、新規物性の探索や光・電子デバイス開発が世界中で行われています。NTT研究所では、大面積基板上への層状物質の高純度結晶成長と新物性の探索、それを用いた次世代デバイスの開発をめざして研究を進めています。
  • E-5
  • データセンタ・情報通信機器のデータ通信を低消費電力で
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  • シリコンプラットフォームによる超低消費電力光回路
  • 現在、通信容量の増大に伴う短距離通信の光リンク化のため、低消費電力化・低コスト化を同時に実現する技術の開発が必須となっています。NTT研究所ではSi基板上へのInP系薄膜の直接接合・結晶成長技術を開発し、Si基板上の異種材料・光電子回路融合に向けた集積化技術の開発を行っています。本Siプラットフォーム技術にて超低消費電力で動作する単一モード直接変調レーザを実現しました。
  • E-6
  • 給電インフラの革新でクリーンな省エネ社会を推進します
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  • GaN系パワーデバイスによる省電力小型電源技術
  • GaN(窒化ガリウム)系半導体パワーデバイスは、現在広く用いられているSi(シリコン)デバイスを凌駕する優れた省エネ性能により、環境にやさしいクリーンな社会構築に貢献が可能です。NTT研究所は、新電元工業株式会社、千葉大学、パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社と共同で、将来の給電インフラを支えるGaN系電源デバイスの普及に向けた研究開発を進めています。
  • E-7
  • 超高速IC技術をオープン化します
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  • 大容量光通信やテラヘルツ無線などに適用可能な化合物半導体技術
  • シリコン(CMOS)を用いたICでは、集積化により高機能化が可能ですが高速・高出力化に限界があります。一方、化合物(InP)を用いたICでは、シリコンよりも高速・高出力化が可能でありシリコンICを補強する技術として期待されています。NTT研究所では、最先端の化合物半導体プロセスをオープン化し、パートナとなる皆さまとのコラボレーションにより、さらなる技術の高みをめざします。