ユビキタスサービスを実現する機能デバイスの創出を目指して どんな技術？ 我々の研究開発しているMEMSデバイスは、ミクロンオーダーのLSIパターンとミリオーダーの実装パターンを接続するプロセス技術として、NTT研究所で開発したシームレスインテグレーション技術（Seamless Integration Technology）に基づいています。本技術を用いると、図1に示すように、金属やシリコンなどでできた10μmから1mm程度の微小なMEMSデバイスや配線などをLSI上に積層して作製することができるようになります。このような特徴を活かし、材料、プロセス、デバイスの要素研究を進めるとともに、各種のMEMSデバイスを開発、MEMSデバイスをアレイ化した高機能のMEMSチップ、LSIとMEMSデバイスを一体化した新機能の集積化MEMS、などを実現しています。     なにが特長？ 従来、MEMS技術を用いたセンサやデバイス類では、MEMS構造とセンシング回路、ドライバー回路等は別チップで構成され、小型化、高性能化が困難であるという問題がありました。我々の開発した技術を用いるとLSI上にMEMS構造を形成することが可能となるため、これらの問題を解決することができます。また、構造の異なる複数のMEMS構造を同時に形成することもできるので、より高機能のMEMSデバイスを実現することもできます。   なにができる？ シームレスインテグレーション技術を用いると、従来の技術では難しかった寸法、厚さをもつ構造物をLSI上に形成できることから、MEMSデバイスをアレイ化した高機能のMEMSチップや、LSI単独またはMEMS単独では実現できなかった新機能の集積化MEMSも実現できるようになります。開発したデバイス・技術として、セキュリティ強化のための指紋認証センサ（図2）、通信用のMEMS光スイッチ（図3）、無線端末用のRF-MEMSチップ（図4）、MEMS構造を封止できる薄膜材料張り合わせ技術（STP技術、Spin-coating film Transfer and hot Pressing）（図5）、などがあります。