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ギガビット、テラビット： ビットは二値信号の情報量の単位。１ギガビットは10億ビット、１テラビットは1兆ビットに相当する。
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| *2 |
時分割多重： 時間軸上で情報を多重化する方法。通信システムを用いて情報を伝送する際に、時間を細かく区切って交互に複数の情報を載せることにより多重化する方式を時分割多重方式という。これに対し、１本の光ファイバの中に複数の波長の光を通し、その各々に別々の情報を担わせることにより多重化する方式を波長多重方式という。通常、超高速光通信システムは両者の組合せにより構成される。
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| *3 |
電子移動度： 半導体における電子の動きやすさの尺度。電子の移動度が高いほどトランジスタ内の電子の速度は高く、スイッチ動作は高速化される。
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| *4 |
高電子移動度トランジスタ(HEMT)： 高純度の半導体チャネル層に形成された二次元電子ガスの電子数を、ショットキ金属からなるゲートを用いて制御する電界効果トランジスタ。
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| *5 |
エラーフリー動作： ICの入力信号と出力信号との論理比較をおこない、IC中で生じた誤りビット数を全入力信号ビット数で割った値で定義される誤り率が、ある時間内においてゼロの状態でICが動作すること。
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| *6 |
電流利得遮断周波数： トランジスタの高周波性能をあらわす指標の一つ。トランジスタの電流利得が１となる周波数で定義され、この値が高いほどトランジスタのスイッチ動作は高速となる。
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| *7 |
ゲートリセスエッチストッパ層： あらかじめエピタキシャル層中に挿入された、エッチング液により侵食されない半導体層。このエッチストッパ層の働きにより、FETの閾値電圧を均一に制御することが可能となる。
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| *8 |
エピタキシャル構造： 半導体基板の上に複数の半導体結晶薄膜が積層された構造。
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| *9 |
外部負荷： ICに接続される負荷。高周波回路では一般に特性インピーダンスである50 が負荷として接続される。
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| *10 |
ピーキング技術： 共振現象を利用して高周波特性を改善する回路技術。
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