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NTT持株会社ニュースリリース

参考図

図1. 1922年に行われたシュテルン−ゲルラッハ実験の模式図

図1. 1922年に行われたシュテルン−ゲルラッハ実験の模式図

図2. (a)今回行った半導体中でのシュテルン−ゲルラッハ実験の模式図 (b)スピン流を生み出すために用いたナノメートルサイズのトランジスタ構造 (c)弱い有効磁場と強い有効磁場における伝導度のサイドゲート電圧依存性測定結果 (d)伝導度0.5(2e2/h)におけるスピン偏極率の測定結果

図2. (a)今回行った半導体中でのシュテルン−ゲルラッハ実験の模式図 (b)スピン流を生み出すために用いたナノメートルサイズのトランジスタ構造 (c)弱い有効磁場と強い有効磁場における伝導度のサイドゲート電圧依存性測定結果 (d)伝導度0.5(2e2/h)におけるスピン偏極率の測定結果

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