1983-1992

1983
  • 厚木電気通信研究所発足1
  • InGaAlP可視光レーザの室温発振に成功
1984
  • 1.6Gb/s光中継器用超高速ICの試作
  • 2インチ径GaAs結晶の完全無転位化達成
1985
  • 超高速1kビットメモリLSI(SST技術)を開発
  • DFBレーザを開発2
1986
  • 2チップ加入者回線LSI開発
  • 16Mビットメモリ(DRAM)を試作3
1987
  • LSI研究所、光エレクトロニクス研究所発足
  • 半導体レーザによる振幅スクイズド光の発生
  • SOR施設完成4
1988
  • 超電導磁石を使った小型SOR装置世界初の始動
  • SOR露光20波レーザアレイ
1989
  • SAINT技術を用いた10Gb/s光通信用超高速GaAsIC開発
  • ファイバ型光増幅器を用いた光伝送の実験に成功
1990
  • ゲート長0.2µm級HSST/BiCMOS IC開発
  • 有機非線光学材料と光スイッチ5
1991
  • スーパークリーンルーム完成6
  • コミュニケーション科学研究所発足
  • 超LSI開発用SORリソグラフィシステム完成
  • 10Gb/s光伝送用等価増幅ICモジュールを開発
1992
  • 共鳴トンネル公開を用いた新論理ゲートMOBILEを実現
  • 広帯域波長可変レーザを試作
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