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総合研究所概要

沿革・業績

平成6年度〜平成9年度

平成6年度(1994年)

  • ・「総合研究所体制への移行、基礎技術総合研究所の発足」
  • ・1V-LSI回路技術(MT-CMOS, 1V-MASH)を開発
  • ・SIMOX基板に形成したSi量子細線で単電子トランジスタを試作
  • ・一次元量子細線における朝永ラッティンジャー流体の検証
  • ・Eu:Y2SiO5結晶を用いたホログラフィック動画記録の実現
  • ・補完類似度を用いた2値特徴画像認識法を考案
  • ・プログラマブル光周波数フィルタを開発
  • ・薄膜型EMIノイズフィルタを開発

平成7年度(1995年)

  • ・導電膜ECRスパッタ装置を開発
  • ・銅配線を用いた0.25μmバルクCMOS試作
  • ・0.25μmCMOS/SIMOX技術による大規模ゲートアレイLSI試作に成功
0.25μmCMOS/SIMOX技術による大規模ゲートアレイLSI試作に成功
  • ・神経伝達物質の高感度検出に成功
  • ・半導体中の超伝導電流の干渉効果を観測
  • ・Auroraシステム用F-WINC光分岐モジュールを実用化
  • ・波長多重分割光通信用アレイ導波路回折格子(AWG)光合分波器を開発
  • ・1.5μm帯フッ化物光ファイバ増幅器を開発

平成8年度(1996年)

  • ・「LSI研究所からシステムエレクトロニクス研究所に名称変更」
  • ・光インタコネクションを用いた高速データ転送装置を開発
  • ・ハイブリッド集積WDM光送受信モジュールを開発
ハイブリッド集積WDM光送受信モジュールを開発
  • ・テラビット級面型光制御光スイッチを開発
  • ・光アクセスシステム用PLC光部品の小型化・高密度化を実現
  • ・光中継器用超広帯域増幅器を開発
  • ・探針集光型トンネル電子発光顕微鏡を開発
  • ・Siデバイスプロセスシュミレーションを高精度化する統一拡散モデルを確立
  • ・半導体人工原子のフント則を実験的に検証
  • ・高速・高精度の画像探索(アクティブ探索法)を提案
高速・高精度の画像探索(アクティブ探索法)を提案
  • ・画像認識処理用HiPICボードを開発
  • ・法則発見アルゴリズムRF5を開発
  • ・文単位の対訳文例集の構築環境(BACCS)を開発

平成9年度(1997年)

  • ・切り替え速度40Gbit/sのATMスイッチLSIを開発
  • ・日本語語彙大系を出版
  • ・極微細構造一括形成技術によるナノホール新素材の開発
  • ・神経伝達物質の直接観察に成功
  • ・マイクロ波光励起による単一電子トンネル制御に成功
  • ・集積化を目指したシリコン単電子デバイスの開発
  • ・共鳴トンネルデバイスを用いた超高速回路を実現
  • ・100nm級LSI露光用X線ステッパを開発
  • ・単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)を開発
  • ・広帯域テルライト光ファイバ増幅器を開発
  • ・半導体アレイ導波路回折格子型(AWG)集積光デバイスを開発
  • ・アレイ導波路格子とSS-SOAゲートスイッチをハイブリッド集積した波長セレクタを開発
  • ・遺伝的アルゴリズムを用いたスケジューリング解法を開発
  • ・笑いのメカニズムを解明
  • ・音声対話システムNoddy(うなずき君)を開発
  • ・「パウリの原理」直接観測に成功
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